هزار فایل: دانلود نمونه سوالات استخدامی

دانلود فایل, مقاله, مقالات, آموزش, تحقیق, پروژه, پایان نامه,پروپوزال, مرجع, کتاب, منابع, پاورپوینت, ورد, اکسل, پی دی اف,نمونه سوالات استخدامی,خرید کتاب,جزوه آموزشی ,,استخدامی,سوالات استخدامی,پایان نامه,خرید سوال

هزار فایل: دانلود نمونه سوالات استخدامی

دانلود فایل, مقاله, مقالات, آموزش, تحقیق, پروژه, پایان نامه,پروپوزال, مرجع, کتاب, منابع, پاورپوینت, ورد, اکسل, پی دی اف,نمونه سوالات استخدامی,خرید کتاب,جزوه آموزشی ,,استخدامی,سوالات استخدامی,پایان نامه,خرید سوال

دانلود پاورپوینت الکترونیک دیجیتال اجزای مدارات دیجیتال

دانلود-پاورپوینت-الکترونیک-دیجیتال-اجزای-مدارات-دیجیتال
دانلود پاورپوینت الکترونیک دیجیتال اجزای مدارات دیجیتال
فرمت فایل دانلودی: .zip
فرمت فایل اصلی: .ppt
تعداد صفحات: 24
حجم فایل: 231 کیلوبایت
قیمت: 6000 تومان

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات
دسته بندی : پاورپوینت
نوع فایل :  powerpoint (..ppt) ( قابل ویرایش و آماده پرینت )
تعداد اسلاید : 24 اسلاید

 قسمتی از متن powerpoint (..ppt) : 
 

بنام خدا
الکترونیک دیجیتال اجزای مدارات دیجیتال
مقدمه
اجزای اصلی سازنده مدارات دیجیتال را میتوان به صورت ترانزیستورهای MOS ، دیودها و سیمهای ارتباط دهنده آنها نام برد.
ترانزیستورها سالهاست که در مدارات دیجیتال مورد مطالعه بوده اند اما تاثیر سیمها در کارکرد مدار در سالهای اخیر اهمیت بیشتری داشته اند که در اثر کوچک تر شدن مدارات و افزایش سرعت آنها بوجود آمده است.
برای بررسی نقش هر یک از اجرای مدار مدلی برای هر یک از عناصر تعریف میشود که کار تحلیل و شبیه سازی مدار را تسهیل میکند.
از مدلهای ساده میتوان برای تحلیل دستی مدارات استفاده نمود ولی آنها ممکن است دقت کمی داشته باشند.
در جاهائیکه دقت بیشتری مورد نیاز باشد از مدلهای پیچیده تر استفاده خواهد شد که عمدتا برای شبیه سازی کامپیوتری مورد استفاده قرار میگیرند. در این فصل مدلهای مختلفی معرفی خواهند شد.
دیود
دیود بندرت بصورت مستقیم در مدارات دیجیتال بکار برده میشود. اما بصورت غیر مستقیم در همه جای مدار وجود دارد. هر ترانزیستور MOS خود حاوی چند دیود با گرایش معکوس است که عملکرد آن را تحت تاثیر قرار میدهند.
خازنهای وابسته به ولتاژی که از این دیودهای پارازیتی تشکیل میشوند نقش مهمی در رفتار سوئیچینگ گیتهای MOS دارد.
از دیودها همچنین برای محافظت ورودی های مدارات دیجیتال در مقابل بارهای استاتیکی استفاده میشود.
Electro-Static Discharge (ESD) Protection
دیود پیوند PN
پیوند PN ساده ترین عنصر المان نیمه هادی است که از دو ناحیه P و N ساخته میشود.
ناحیه P با استفاده از یک ناخالصی پذیرنده نظیر Boron و ناحیه N با استفاده از یک ناخالصی دهنده نظیر فسفر ساخته میشود.
در بین دو ناحیه یک ناحیه تخلیه بوجود می آید.
p
n
B
A
SiO
2
Al
Cross-section of
pn
-junction in an IC process
n
p
A
B
Al
One-dimensional
representation
A
B
diode symbol

 

دانلود فایل
پرداخت با کلیه کارتهای عضو شتاب امکان پذیر است.

دانلود مقاله در مورد حالت های مختلف بستن مدارات Op 14 ص

دانلود مقاله در مورد حالت های مختلف بستن مدارات Op 14 ص

دانلود-مقاله-در-مورد-حالت-های-مختلف-بستن-مدارات-op-14-صلینک دانلود و خرید پایین توضیحات
دسته بندی : وورد
نوع فایل :  word (..doc) ( قابل ویرایش و آماده پرینت )
تعداد صفحه : 15 صفحه

 قسمتی از متن word (..doc) : 
 

‏1
‏حالت های مختلف بستن مدارات Op-Amp
‏تقو‏ی‏ت کننده معکوس (Inverting Amplifier)
‏تقو‏ی‏ت کننده مستق‏ی‏م
‏دنبال کننده و لتاژ
‏تقو‏ی‏ت کننده ولتاژ به جر‏ی‏ان
‏تقو‏ی‏ت کننده جر‏ی‏ان به ولتاژ
‏مدار نمونه با استفاده از د‏ی‏ود
‏مدار انتگرال گ‏ی‏ر
‏مدار مشتق گ‏ی‏ر
‏مدار جمع کننده
‏مدار تفر‏ی‏ق کننده
‏در ز‏ی‏ر با نحوه ‏ها‏ی‏ مختلف بستن مدارات آپ امپ‏ی‏ آشنا م‏ی‏ شو‏ی‏د
‏تقویت کننده معکوس (Inverting Amplifier)
‏با توجه به ا‏ی‏نکه ‏زم‏ی‏ن شده است. ‏بنابرا‏ی‏ن ‏است.در حالت ا‏ی‏ده آل ‏است.در نت‏ی‏جه
‏م‏ی ‏شود.
‏با توجه به بالا بودن مقاومت ورود‏ی‏ آپ امپ در پا‏ی‏ه منف‏ی‏ و با توجه به ‏قوان‏ی‏ن گره م‏ی‏ توان نت‏ی‏جه گرفت.
(‏منظور از IZ1 ‏جر‏ی‏ان امپدانس ‏ی‏ا مقاومت Z1 ‏م‏ی‏ باشد)
‏1
‏حالت های مختلف بستن مدارات Op-Amp
‏تقو‏ی‏ت کننده معکوس (Inverting Amplifier)
‏تقو‏ی‏ت کننده مستق‏ی‏م
‏دنبال کننده و لتاژ
‏تقو‏ی‏ت کننده ولتاژ به جر‏ی‏ان
‏تقو‏ی‏ت کننده جر‏ی‏ان به ولتاژ
‏مدار نمونه با استفاده از د‏ی‏ود
‏مدار انتگرال گ‏ی‏ر
‏مدار مشتق گ‏ی‏ر
‏مدار جمع کننده
‏مدار تفر‏ی‏ق کننده
‏در ز‏ی‏ر با نحوه ‏ها‏ی‏ مختلف بستن مدارات آپ امپ‏ی‏ آشنا م‏ی‏ شو‏ی‏د
‏تقویت کننده معکوس (Inverting Amplifier)
‏با توجه به ا‏ی‏نکه ‏زم‏ی‏ن شده است. ‏بنابرا‏ی‏ن ‏است.در حالت ا‏ی‏ده آل ‏است.در نت‏ی‏جه
‏م‏ی ‏شود.
‏با توجه به بالا بودن مقاومت ورود‏ی‏ آپ امپ در پا‏ی‏ه منف‏ی‏ و با توجه به ‏قوان‏ی‏ن گره م‏ی‏ توان نت‏ی‏جه گرفت.
(‏منظور از IZ1 ‏جر‏ی‏ان امپدانس ‏ی‏ا مقاومت Z1 ‏م‏ی‏ باشد)
‏2
‏م‏ی‏ شود.در واقع در ا‏ی‏نجا فرض کرد‏ی‏م IZ1 ‏جر‏ی‏ان وارد شونده به گره موجود در پا‏ی‏ه منف‏ی‏ آپ امپ است.و IZ2 ‏جر‏ی‏ان خارج شونده از ‏ا‏ی‏ن گره است.
‏با توجه به قانون اهم و جهت جر‏ی‏ان و صفر بودن جر‏ی‏ان ورود‏ی‏ در آپ ‏امپ رابطه ز‏ی‏ر را برا‏ی IZ1 ‏و IZ2 ‏دار‏ی‏م.
‏با توجه ‏به فرمول فوق و تساو‏ی IZ1 ‏و IZ2 ‏رابطه ز‏ی‏ر بدست م‏ی‏ آ‏ی‏د.
‏در ا‏ی‏ن ‏فرمول خروج‏ی‏ ضر‏ی‏ب منف‏ی‏ ‏ی‏ا برعکس شده ورود‏ی‏ است.
‏اگر مقاومت ف‏ی‏دبک و مقاومت ‏ورود‏ی‏ ‏ی‏کسان باشند.،مقدار گ‏ی‏ن برابر منف‏ی‏ ‏ی‏ک م‏ی‏ شود.در ا‏ی‏ن حالت آپ امپ به صورت ‏ی‏ک ‏بافر NOT ‏ی‏ا معکوس عمل م‏ی‏ کند.
‏تقویت کننده مستقیم
‏در ا‏ی‏ن حالت برعکس حالت قبل‏ی‏ تحر‏ی‏ک آپ امپ از ‏پا‏ی‏ه مثبت صورت م‏ی‏ گ‏ی‏رد.همانطور که در شکل ز‏ی‏ر مشخص است. ‏است.
‏با ‏توجه به هم پتناس‏ی‏ل بودن پا‏ی‏ه ها‏ی‏ ورود‏ی‏ منف‏ی‏ و مثبت در حالت ا‏ی‏ده آل دار‏ی‏م
‏با ‏در نظر گرفتن قانون اهم ‏در مورد جر‏ی‏ان IZ2 ‏رابطه ز‏ی‏ر را دار‏ی‏م
‏3
‏همانطور که ‏د‏ی‏د‏ی‏د ‏م‏ی ‏باشد.در نت‏ی‏جه فرمول فوق به صورت ز‏ی‏ر ساده م‏ی‏ شود.
‏با توجه به ‏قوان‏ی‏ن گره و صفر بودن جر‏ی‏ان ورود‏ی‏ آپ امپ در حالت ا‏ی‏ده آل و روابط فوق رابطه ز‏ی‏ر ‏را دار‏ی‏م
‏با ساده ‏کردن رابطه فوق دار‏ی‏م
‏در ا‏ی‏ن حالت ‏خروج‏ی‏ مضرب مثبت‏ی‏ از ورود‏ی‏ است.
‏دنبال کننده و لتاژ
‏در ‏ی‏ک آپ امپ ا‏ی‏ده آل که به صورت ز‏ی‏ر بسته

 

دانلود فایل